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光刻胶去胶工艺

光刻胶是通过掩膜模板将图像转移到胶片上的载体。一旦三维图像被转移到覆盖层上，就不再需要光刻胶，并完全消除了。压印的残留物需要和图像一起处理。一般来说，有两种类型的清除方法：湿法和干法。

湿法去胶一般分为两种类型：有机溶液去胶和无机化学介质去胶。机溶液去胶通常是通过将光刻胶溶解在有机合成介质中来进行的，而无机化学介质去胶则是运用无机化学介质(如H2SO4和H2O2)光刻胶的碳化产生超临界二氧化碳，去除光刻胶。用湿法去除光刻胶的另一主要方法是直接去除光刻胶。去除方法有时用于去除无法分离的光刻胶残留物。在某些情况下，在干法蚀刻前必须对光刻胶表层进行保护，以防止其溶入排胶。

干法去胶指的是对光刻胶的平等剥离。使用脱胶材料的一种常见方法是通过氧气、微波或射频功率非常快速地激发活性氧（活性氧原子），这可以从光刻胶中的碳（氢反应物）中产生二氧化碳、一氧化碳和水，而这种产生物也会被真空装置抽出，以便于将光刻胶剥落。这种方法通常被称之为光刻胶的表面挥发法。也可能在氧气中添加一定比例的氮气或氢气，以改善光去胶的稳定性和提高对残留聚合物的消除。